似此星辰

书名：Semiconductor Power Devices:physics,Characteristics,Reliability(《功率半导体器件——原理、特性和可靠性》) 作者：Josef Lutz, Heinrich Schiangenotto, Uwe Scheuermann, Rik De Doncker; 译者：卞抗 等。 出版社：Springer Heidelberg Dordrecht London New York 出版时间： 1st edition: © Springer-Verlag Berlin Heidelberg 2011 2nd edition: © Springer International Publishing AG 2018 中译版是根据原书第一版翻译的， ISBN：978-3-642-11124-2 e-ISBN978-3-642-11125-9 DOI10.1007/978-3-642-11125-9 中译版ISBN：978-7-111-41727-9

一年一本的垂直行业工具书，今年选了功率半导体，算是在《日本制造业的败北》之后继续学点半导体相关的东西。因为要去看术语翻译，翻了中译版之后就去找了原书第二版。

这块国内的教材写得都很emmmm……，看了几个论坛很多人都推荐这本。

这本也是国内比较主流的教材。 第二版是18年出的，加了很多深度产业化的内容进去。包括：考虑实际生产情况，对于掺杂的影响、电流传输和重组增补了新的实践数据。 在器件应用方面，还谈到了300mmIGBT、辐射诱导掺杂GaN、单片集成GaN、栅极换向晶闸管 GCT，并且增补了很多封测内容。不过作者还是强调了目前IGBT的重要性，对于宽禁带器件的应用保持观望态度。

德子写这方面书还真的够味。凝练通俗，逻辑自恰。吃最好的就行了，不用知道其他书烂到什么地步。

对于我个人而言，看工艺方面尤其是晶体生长，完全没障碍。之前做高温合金课题的时候看了比较多长晶方面的资料，而掺杂、扩散、离子注入、氧化、钝化、本证特性等等主题，完完全全是材料基本功了。 后面器件部分就比较难啃了，从PIN器件这一章开始（开篇把整流和RF掏出来我下巴都快掉了，咱能慢点吗？）狂飙，我的眼睛认识字了，我的脑子还没完全反应过来。

当下产业应用比起成书时间又往后推进了接近5年，SIC场控器件已经走向市场，但相比于Si器件市占率还是太低。成本是最大的问题。至于GaN和其他超宽禁带材料器件，产业化的进程更慢。从券商去年和今年的研报看，市场是不及预期的，这一点都不奇怪，一想到SIC在晶圆和外延部分的烧钱工艺和占比接近器件总成本40%的压力，回头再看看草台班子，一切都释然了。

对词汇看原书的时候，思路又清晰了一点，感叹大家推崇这本的架构是有原因的。PIN、肖特基、双极、晶闸管、MOS管、IGBT、封测、损耗、系统集成，行云流水一气呵成，点到的地方没再多费笔墨。工程类的书籍这样就挺好，比起花里胡哨的研报简直是人间美味。